Смартфоны с 4 Гбайтами оперативной памяти появятся уже в конце года

Еще в начале мая компания Samsung официально объявила о начале массового производства микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбита по нормам 20-нм технологического процесса. Новые чипы намного быстрее и потребляют меньше энергии по сравнению со старыми микросхемами типа LPDDR2, но объем памяти на одном чипе остался прежним – 0,5 Гбайта.

При нынешних производственных возможностях объединение четырех микросхем памяти данного типа в корпусе толщиной 0,8 миллиметра дает модуль памяти объемом 2 Гбайта.

Компания SK Hynix решила исправить эту вопиющую несправедливость и официально объявила о создании микросхем памяти типа LPDDR3 плотностью 8 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам того же 20-нм технологического процесса. Что это даст? Ответ очевиден – смартфоны высшего ценового сегмента получат 4 Гбайта оперативной памяти вместо привычных 2 Гбайт. По словам производителя, первые смартфоны с 4 Гбайтами оперативной памяти появятся уже в конце текущего года.

Новые 20-нм чипы типа LPDDR3 производства SK Hynix в два раза быстрее, чем их предшественники LPDDR2 и при этом потребляют на 10 процентов меньше электроэнергии в режиме ожидания.

Скорость передачи данных в 20-нм чипах SK Hynix достигает 2133 Мбит/с. При использовании 32-битного интерфейса пропускная способность памяти составляет до 8,5 Гбит/с в одноканальном режиме и до 17 Гбит/с – в двухканальном. Напряжение питания составляет всего 1,2 В.

Новинки будут поставляться в корпусах типа PoP(Package on Package) и eMMC (embedded Multi Media Card). Первые опытные образцы чипов уже отгружаются заказчикам, а массовое производство намечено на конец текущего года.

Отставить комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован.Обязательные для заполнения поля отмечены *